半导体陶瓷电容器的结构

　　如果电容已经成为了一个很重要的配件，在很多产品里面都离不开电容这种产品了，因为应用的地方不一样，所以电容的种类也是比较多的呢，不同种类的电容类产品它们的结构也是有很大的区别的。如果您对半导体陶瓷电容器的结构有兴趣，就往下面看。

　　半导体陶瓷电容器是包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2 104～8 104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。 在晶粒发育良好的BaTiO3半导体陶瓷表面，在BaTiO3半导体陶瓷表面涂覆适当的金属氧化物，并在适当温度下在氧化条件下进行热处理。用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容变化率随介质温度升高而增大、绝缘电阻减小等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，不存在自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。

　　文章里面都是介绍的半导体陶瓷电容器理论方面的知识，可能大家看完了文章之后仍然有很多地方是不明白的，当然了如果有疑问的话可以联系我们进行咨询，会有相关人员为大家解答的，如果想要了解一些实际操作过程中的问题可以自己去网上查阅资料或者联系我们进行咨询都是可以的哦。